据彭博社报道，三星电子周四宣布已开始向客户商业出货最新一代HBM4存储芯片，这标志着该公司在竞争激烈的AI存储芯片市场取得战略性领先优势。

这是三星的一个重要里程碑。该公司正竞相满足英伟达图形芯片的旺盛需求，后者是训练和运行AI模型最先进的加速器。高带宽存储芯片是AI加速器不可或缺的组成部分。

此前，竞争对手SK海力士在技术上占据领先地位，并主导了英伟达的高带宽存储芯片订单。但近几个月来，三星已缩小了这一差距。

性能大幅超越行业标准

三星HBM4在性能指标上实现了对行业标准的显著突破。从研发之初，三星就将目标设定为超越JEDEC（固态技术协会）的性能标准，为此同时采用了1c DRAM工艺和4纳米晶圆代工工艺。

凭借这一工艺组合，三星HBM4的数据处理速度达到11.7 Gbps，超出JEDEC标准8 Gbps约37%，较上一代HBM3E的9.6 Gbps快22%。单堆栈存储带宽达到3 TB/s，是上一代产品的2.4倍。

采用12层堆叠技术，三星HBM4可提供36 GB容量，未来若采用16层堆叠，容量可扩展至48 GB。

该产品在提升计算性能的同时采用低功耗设计，有望帮助数据中心降低电力消耗和制冷成本。这对于运营大规模AI基础设施的企业而言具有重要意义。